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·具有全世界领先的挨次读取机能与低功耗特征，专为端侧AI举行优化·产物厚度减薄15%，合用在超薄旗舰智能手机·“依附全世界最高321层的产物组合，公司将于NAND闪存范畴进一步巩固‘全方位面向AI的存储器供给商’的职位地方” 2025年5月22日，SK海力士公布，公司乐成开发出搭载全世界最高321层1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND闪存的挪动端解决方案产物UFS 4.1。 SK海力士暗示：“为了于挪动装备上实现端侧（On-device）AI的不变运行，所搭载的NAND闪存解决方案产物必需兼具高机能与低功耗特征。依托这款对于AI事情负载*优化的UFS 4.1产物，公司将进一步巩固其于旗舰智能手机市场中的存储器技能带领职位地方。” 跟着端侧AI的需求连续增加，终端装备的计较机能与电池效率之间的均衡日益要害，超薄设计及低功耗特征已经成为挪动装备的行业尺度。 适应这一趋向，公司这次开发的新品较上一代基在238层NAND闪存的产物能效晋升了7%。同时，乐成产物厚度从1妹妹减薄至0.85妹妹，使其可以或许适配超薄智能手机。 此外，该产物撑持第四代UFS产物的挨次读取*峰值，数据传输速度高达4300MB/s。决议挪动装备多使命处置惩罚能力的随机读取及写入**速率，相较上一代产物别离晋升了15%与40%，到达现存UFS 4.1产物中全世界领先程度。经由过程该方式，可以或许及时提供对于端侧AI所需的数据，显著晋升运用步伐的运行效率与相应速率，从而有用加强用户的现实机能体验。 该产物提供512GB（千兆字节）及1TB（太字节）两种容量规格。公司规划在本年内向客户交付样品以举行验证流程，并将在来岁第一季度正式进入量产阶段。 SK海力士开发总管（CDO, Chief Development Officer）安炫社长暗示：“以这次产物的开发为契机，公司规划在本年内完成基在全世界最高321层4D NAND闪存的消费级及数据中央级固态硬盘（SSD）产物的开发事情。经由过程这一举措，公司将于NAND闪存范畴构建具有AI技能竞争力的产物组合，从而进一步巩固公司作为‘全方位面向AI的存储器供给商（Full Stack AI Memory Provider）’的职位地方。” * 事情负载（Workload）：指于特按时间内需要处置惩罚的使命类型及数目，凡是触及年夜量的数据处置惩罚或者数据库相干的使命 * 挨次读写（Sequential Read/Write）：对于单个文件的数据举行挨次读写的速率 ** 随机读写（Random Read/Write）：对于多个分离文件的数据举行读写的速率
